Characterization of the transient behavior of gated/STI diodes and their associated BJT in the CDM time domain.

• Autores: J.-R. Manouvrier, P. Fonteneau, C.-A. Legrand, P. Nouet, F. Azais
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1424-1432
• Idioma: inglés
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