Characteristics of metal-oxide-semiconductor (MOS) device with Er metal gate on SiO2 film.

• Autores: C.-J. Choi, H.-Y. Yang, H.-B. Hong, J.-G. Kim, S.-Y. Chang, J. Lee
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 4, 2009, págs. 463-465
• Idioma: inglés
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