Study of gate dielectric permittivity variation with different equivalent oxide thickness on channel engineered deep sub-micrometer n-MOSFET device for mixed signal applications.

• Autores: A. Srivastava, P. Sarkar, C.K. Sarkar
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 4, 2009, págs. 365-370
• Idioma: inglés
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