Reliability improvements in 50 nm MLC NAND flash memory using short voltage programming pulses.

• Autores: F. Irrera, I. Piccoli, G. Puzzilli, M. Rossini, T. Vali
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 2, 2009, págs. 135-138
• Idioma: inglés
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