Anomalous narrow width effect in p-channel metal�oxide�semiconductor surface channel transistors using shallow trench isolation technology.

• Autores: W.S. Lau, K.S. See, C.W. Eng, W.K. Aw, K.H. Jo, K.C. Tee, J.Y.M. Lee, E.K.B. Quek, H.S. Kim, S.T.H. Chan, L. Chan
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 6, 2008, págs. 919-922
• Idioma: inglés
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