The application of polyimide/silicon nitride dual passivation to AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors.

• Autores: W.S. Lau, S. Gunawan, J.B.H. Tan, B.P. Singh
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 2, 2008, págs. 187-192
• Idioma: inglés
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