Analysis of punch-through breakdown in bulk silicon RF power LDMOS transistors.

• Autores: I. Cortés, P. Fernández-Martínez, D. Flores, Salvador Hidalgo Villena, J. Rebollo
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 2, 2008, págs. 173-180
• Idioma: inglés
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