Effect of oval defects in GaAs on the reliability of SiNx metal¿insulator¿metal capacitors.

• Autores: P.J. van der Wel, J.R. De Beer, R.J.M. Van Boxtel, Y.Y. Hsieh, Y. C. Wang
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 8, 2007, págs. 1188-1194
• Idioma: inglés
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