Negative bias temperature instabilities in HfSiO(N)-based MOSFETs: Electrical characterization and modeling.

• Autores: M. Houssa, M. Aoulaiche, S. De Gendt, G. Groeseneken, M.M. Heyns
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 6, 2007, págs. 880-889
• Idioma: inglés
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