Impact of strained-channel n-MOSFETs with a SiGe virtual substrate on dielectric interface quality evaluated by low frequency noise measurements.

• Autores: G. Néau, F. Martinez, M. Valenza, J.C. Vildeuil, E. Vincent, F. Boeuf, F. Payet, K. Rochereau
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 567-572
• Idioma: inglés
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