N-MOSFET oxide trap characterization induced by nitridation process using RTS noise analysis.

• Autores: C. Leyris, F. Martinez, A. Hoffman, M. Valenza, J.C. Vildeuil
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 1, 2007, págs. 41-45
• Idioma: inglés
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