Shallow Levels Characterization in Epitaxial GaAs by Acousto-Optic Reflectance

• Autores: Igor V. Ostrovskii, O.G. Ibarra-Manzano, Gennadyi N. Burlak, E. Alvarado-Méndez, G. Cerda Villicaña, R. Rojas-Laguna, J González Barbosa, M. Torres Cisneros, Svetlana V. Koshevaya, Rafael Guzmán Cabrera, Luz Antonio Aguilera Cortés, R. Castro Sánchez, José Amparo Andrade-Lucio, Julián Moisés Estudillo Ayala, J.G. Aviña Cervantes
• Localización: Acta Universitaria, ISSN-e 2007-9621, ISSN 0188-6266, Vol. 15, Nº. 2, 2005, págs. 42-48
• Idioma: español
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• Resumen

  • En este trabajo, utilizamos el espectro de la luz reflejada en una muestra de Arsenuro de Galio (GaAs) bajo la influencia de una onda ultrasónica El diferencial espectral es calculado como una diferencia entre el espectro del material obtenido bajo la influencia del ultrasonido y aquél obtenido sin dicha influencie. Este diferencial de reflectancia espectral acusto-óptico (AODR) contiene algunas bandas que representan los niveles energéticos de los centros en la superficie de la muestra. Esta técnica está basada en la perturbación de los estados locales generada por el ultrasonido. Particularmente, este trabajo presenta un método para caracterizar los estados locales en la superficie y las interfaces en los cristales, así como estructuras epiteliales de baja dimensión basadas en materiales semiconductores. Para ello, se presenta un modelo teórico pare explicar dicho espectro de reflectancia diferencial (AODR). También se realizaron experimentos con estructuras de GaAs epitelial contaminado con Teluro (Te). Los resultados teóricos y experimentales obtenidos muestran que este método es una buena herramienta para caracterizar las trampas superficiales en estructuras epiteliales de semiconductores.