Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia

• Autores: Elena Pascual
• Directores de la Tesis: María Jesús Martín Martínez (dir. tes.), Raúl Rengel Estévez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad de Salamanca ( España ) en 2010
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Tomás González Sánchez (presid.), Beatriz García Vasallo (secret.), David Jimenez Jimenez (voc.), Andrés Godoy Medina (voc.), Antonio García Loureiro (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Electrónica
      • Circuitos
      • Microscopia electrónica
      • Transporte de electrones
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: GREDOS
• Resumen

  • [ES] Esta tesis trata del ampliar el estudio de los dispositivos de la familia MOSFET de Silicio, abordando la investigación de estructuras alternativas de gran importancia para el futuro de la microelectrónica a corto y medio plazo, como son los transistores MOSFET de barrera Schottky, mediante el desarrollo y utilización de simuladores Monte Carlo.