Physics-based compact model of HEMTs for circuit simulation
- Autores: Fetene Mulugeta Yigletu
- Directores de la Tesis: Benjamín Iñiguez Nicolau (dir. tes.)
- Lectura: En la Universitat Rovira i Virgili ( España ) en 2014
- Idioma: inglés
- Tribunal Calificador de la Tesis: Tor Arne Fjeldly (presid.), Antonio Ramon Lázaro Guillén (secret.), Tomás Fernández Ibáñez (voc.)
- Materias:
- Enlaces
- Tesis en acceso abierto en: TDX
- Resumen
Aquesta tesi adreça el modelatge de dispositius HEMTs. Es presenta un model compacte, de base física, d’ AlGaN/GaN HEMTs per a la simulación de circuits. Es desenvolupa un model complet del corrent de drenador, i de les càrregues i capacitàncies de porta. El model bàsic de corrent de drenador i càrregues de porta s’obté usant un model simple de control de càrrega desenvolupat a partir de les solucions de les equacions de Poisson i Schrödinger per a l’àrea activa d’operació del dispositiu. Es presenta també un model separat del col•lapse del corrent, que és un efecte important en els AlGaN/GaN HEMT. El model de col•lapse del corrent es desenvolupa emprant el model bàsic de model com a marc, la qual cosa resulta en un model robust de gran senyal que pot ser utilitzat amb i sense la presència del col•lapse del corrent. A més, es presenta una anàlisi de no linearitats i modelatge de AlGaAs/GaAs pHEMT utilitzant les sèries de Volterra.
