Resumen de Estructuras espacio-temporales en superredes semiconductoras dopadas
EL AUTOR ANALIZA UNA SERIE DE FENOMENOS EN SUPERREDES DEBILMENTE ACOPLADAS Y DOPADAS; COMO LA FORMACION DE ESTRUCTURAS ESTACIONARIA CORRESPONDIENTES A LA COEXISTENCIA DE DOS O MAS DOMINIOS DE CAMPO ELECTRICO EN LA SUPERRED, LA DINAMICA DE DOMINIOS DE CAMPO ELECTRICO Y OSCILACIONES AUTOSOSTENIDAS DE LA CORRIENTE Y DE LA COMPRENSION DEL PAPEL DE LOS ONTACTOS EN LA FORMACION DE ESTRUCTURAS EN ESTAS SUPERREDES MEDIANTE UN MODELO MICROSCOPICO PROPUESTO, CONSTA TAMBIEN DE UN BREVE REPASO DE LOS CONCEPTOS DE LA FISICA DE SEMICONDUCTORES UTILIZADA Y UNA BIBLIOGRAFIA EXPERIMENTAL.
CONCLUYE AFIRMANDO QUE LAS ESTRUCTURAS ESTACIONARIAS CORRESPONDIENTES A LA EXISTENCIA DE CAMPOS DE DOMINIO ELECTRICO Y LA DINAMICA DE DOMINIOS QUE DAN LUGAR A OSCILACIONES AUTOSOSTENIDAS DE LA CORRIENTE PERMITEN DEMOSTRAR QUE EL VALOR DEL DOPAJE POR ENCIMA DEL CUAL APARECEN ES INVERSAMENTE PROPORCIONAL AL NUMERO DE PERIODOS DE LA SUPERRED.
