En este trabajo de tesis se ha desarrollado un nuevo modelo analítico y compacto de carga y capacitancia para transistores orgánicos de efecto de campo (OFETs por sus siglas en inglés) al que hemos llamado UBCM. El modelo es válido y continuo en todas las regiones de operación del dispositivo, que son acumulación, agotamiento parcial y agotamiento total, asumiendo una operación cuasi-estática, por lo que es válido para bajas y medias frecuencias. Los parámetros aplicados en UBCM son analíticamente extraídos de las características de corriente-voltaje de los OFETs mediante UMEM (Método de Extracción de Parámetros y Modelo Unificado), por lo que UBCM es consistente con el modelo de corriente que describe al dispositivo. Finalmente UBCM se ha implementado en simuladores de circuitos mediante su código en Verilog-A y Spice, y ha sido utilizado en la simulación de inversores orgánicos, resultados que se han validado con mediciones experimentales.
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