En aquesta tesi hem desenvolupat models compactes que incorporen un model de transport hidrodinàmic adaptat a multi-gate (principalment double-gate (DG) and surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de models unificats de control de càrrega I del potencial de superfície, obtinguts de l’equació de Poisson. Tots aquests dispositius es modelitzen seguint un esquema semblant. El corrent i càrregues totals s’escriuen en funció de les densitats de càrrega mòbil per unitat d’àrea als extrems drenador i font del canal. Els efectes de canal curt i quàntics també s’inclouen en el model compacte desenvolupat. El model desenvolupat mostra un bon acord amb simulacions numèriques 2D i 3D en tots els règims d’operació. El model desenvolupat s’implementa i testeja al simulador de circuits SMASH per a l’anàlisi dels comportaments DC i transitori de circuits CMOS.
© 2001-2024 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados