Compact modeling for multi-gate mosfets using advanced transport models

• Autores: Muthupandian Cheralathan
• Directores de la Tesis: Benjamín Iñiguez Nicolau (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat Rovira i Virgili ( España ) en 2013
• Idioma: inglés
• Tribunal Calificador de la Tesis: José Antonio Rubio Solà (presid.), Antonio Ramon Lázaro Guillén (secret.)
• Materias:
  • Física
    • Electrónica
      • Transporte de electrones
      • Circuitos integrados
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: TDX
• Resumen

  • En aquesta tesi hem desenvolupat models compactes que incorporen un model de transport hidrodinàmic adaptat a multi-gate (principalment double-gate (DG) and surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de models unificats de control de càrrega I del potencial de superfície, obtinguts de l’equació de Poisson. Tots aquests dispositius es modelitzen seguint un esquema semblant. El corrent i càrregues totals s’escriuen en funció de les densitats de càrrega mòbil per unitat d’àrea als extrems drenador i font del canal. Els efectes de canal curt i quàntics també s’inclouen en el model compacte desenvolupat. El model desenvolupat mostra un bon acord amb simulacions numèriques 2D i 3D en tots els règims d’operació. El model desenvolupat s’implementa i testeja al simulador de circuits SMASH per a l’anàlisi dels comportaments DC i transitori de circuits CMOS.