Sistema de medida de la transmisión óptica de bajo coste con LED a 1.45 um: obtención del coeficiente de absorción del c-Si a altas temperaturas y monitorización in-situ de la recristalización de capas a-SiCx:H sobre c-Si.

• Autores: Ivaldo Torres Chávez
• Directores de la Tesis: Michael Vetter (dir. tes.), Josep Pallarès Marzal (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat Rovira i Virgili ( España ) en 2006
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Lluís F. Marsal Garví (presid.), Josep Ferré Borrull (secret.), Ramon Alcubilla González (voc.), Estrada del Cueto Magali (voc.), Albert Orpella García (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: TDX
• Resumen

  • En este trabajo se ha fabricado un equipo de medida que combina la alta temperatura con transmisión óptica, utilizando el espectro de emisión de un LED comercial de bajo coste de adquisición.A partir de las medidas de transmisión óptica se ha obtenido el coeficiente de absorción y a través de este conocer la temperatura del substrato de c-Si:Así como para conocer los mecanismos fundamentales que intervienen en el proceso de la absorción óptica (Banda a banda y Cargas libres). Se ha ampliado el modelo teórico de calculo del coeficiente de absorción para ajustar las medidas echas con el espectro de emisión de un LED.El equipo construido se ha empleado para monitorizar in-situ la fase de cristalización de las capas de a-SiCx:H intrínsecas y dopadas con fósforo depositadas sobre substrato de c-Si. Los resultados obtenidos se han comparando con otras medidas ópticas que involucran técnicas diferentes: SEM, X-RD, FTIR, Monocromador, que confirman los resultados encontrados.