Propiedades ópticas y estructurales de semiconductores III-VI bajo presión

• Autores: Julio Pellicer Porres
• Directores de la Tesis: Alfonso Enrique San Miguel Fuster (dir. tes.), Alfredo Segura García del Río (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat de València ( España ) en 1999
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Alfonso Muñoz González (presid.), Andrés Cantarero (secret.), Fernando Rodríguez González (voc.), Isabel Castro (voc.), Alain Polian (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Estructura cristalina
      • Propiedades ópticas
      • Superconductores
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: RODERIC
• Resumen

  • Estudio de la evolución estructural completa de estos semiconductores bajo presión, utilizando técnicas X AFS. Determinación de la evolución de las distancias intra e intercapa bajo presión. Analogía entre la estructura de bandas del GaTe y la del resto de semiconductores de la familia. Estudio del frente de absorción del GaTe bajo presión. Evolución del GAP directo, GAP indirecto, Ryberg excitónico, anchura excitónica y elemento de matriz bajo presión. Evolución bajo presión del índice de refracción del GaTe en el infrarrojo medio. Determinación del índice de refracción perpendicular a las capas en el infrarrojo próximo.