Esta tesis doctoral está dedicada al desarrollo de una tecnología de detectores de radiación de silicio resistentes a altas dosis de radiación. En primer lugar se presenta un estudio comparativo de los substratos de silicio Float Zone estándar y oxigenado y Czochralski magnético (MCZ) tipo N, encontrándose que el silicio es el más resistente a dosis de radiación elevadas y el más estable para tiempos de recocido largos. Seguidamente se realiza un estudio comparativo del funcionamiento y dificultades tecnológicas de las diferentes estructuras de detectores de micropistas: p-sobre-n, n-sobre-p y n-sobre-n. Desde el punto de vista de la colección de carga los detectores n-sobre-p son los que presentan un mejor comportamiento frente a la radiación. Además, se ha encontrado que el silicio N es extraordinariamente resistente al cambio de dopaje efectivo causado por la radiación.
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