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Resumen de Contribución al estudio de la interrelación entre la densidad de corriente crítica y la resistividad normal en muestras granulares y películas delgadas de YBa2Cu3O7-d

Severiano Rodríguez Currás

  • En esta tesis se ha estudiado la interrelación entre la densidad de corriente crítica a campo magnético aplicado nulo y la resistividad en estado normal en muestras granularesY1BA2CU3O7-8 (YBCO) con diferente tallad e grano y en películas delgadas epitaxiales del mismo puesto, que constituyen un sistema con un mayor grado de texturación ya que presenta granos densamente empaquetados, bien orientados y mejor conectados que en el caso del material masivo con granos orientados al azar.

    Nuestro análisis en muestras granulares de YBCO ha puesto de manifiesto dos hechos relevantes acerca de los factores que determinan primero, la sistividad que limita la densidad de corriente crítica en el policristal es la resisitencia específica de contacto dada por el producto y no la resistividad (volúmica) normal media de las uniones obtenida a partir del estado normal de la curva de risistividad en función de la tempertaura, como se había porpuesto en otros trabajos. Segundo, teniendo en cuenta sólo la talla de grano, está indetminada. De hecho hemos encontrado que depende sólo de modo que el producto a una temperatura dada, es invariante de muestra a muestra. La principal conclusión de este resultado es que, efectos de tamaño aparte, el único parámetro físico que gobierna la corriente crística en SAT granulares a la resistencia específica de contacto lo que sugiere que los mecanismos de dispesión de carga afectan del mismo modo a los portadores de carga en estado normal y a los pares superconductores.

    El hecho de que la talla de grano no sea un factor deteminante en consiste con que las muestras granulares en hallan en el límite ya que sólo cuando el campo mgnético (en este caso el autocampo) no penetra completamente la unión, el tamaño de ésta pasa a ser irrelevante.

    En las películas delgadas la interrelación entre densidad de corriente crítica y resistividad normal difiere de la que hemos encontrado en sistemas gran


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