Se realiza dos estudios por separado, por una parte se estudia el generador serie y por otra el diodo intrínseco del mosfet.
Del estudio del generador serie se obtienen las diferentes topologías de inversor en condiciones de cortocircuito.
Del estudio el mosfet se detremina cual es el más robusto frente a conmutaciones capacitivas.
Obteniéndose finalmente la topología y el mosfet más fiable.
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