Deposición de películas de sílice amorfa a partir de vapor mediante laser de excimero en configuración paralela

• Autores: Pío Manuel González Fernández
• Directores de la Tesis: Mariano Pérez-Martínez y Pérez-Amor (dir. tes.), Betty Mireya León Fong (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidade de Santiago de Compostela ( España ) en 1991
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Miguel López-Coronado (presid.), Francisco Sánchez Quesada (secret.), Juan Piqueras Martinez (voc.), Gerardo López Araujo (voc.), José Manuel Martínez Duart (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos fotoeléctricos
    • Tecnología de materiales
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• Resumen

  • Esta tesis trata sobre la deposición de películas delgadas de óxido de silicio sobre silicio cristalino mediante la técnica lCVD utilizando un láser de excimero en configuración paralela. Se presenta un estudio exhaustivo de la influencia de los parámetros de procedimiento en la velocidad de deposición y propiedades de las películas. Ademas se ha elaborado un modelo descriptivo del proceso de deposición, se ha realizado un compendio de relaciones empíricas para la determinación indirecta de las propiedades de las películas y, por ultimo, se han estudiado las aplicaciones microelectrónicas y metalúrgicas de estas películas.