Estudio por microscopia electronica de transmision del sistema heteroepitaxial gaas sobre si(001): efecto del dopado y la temperatura sobre la estructura de defectos

• Autores: Guillermo Aragón Herranz
• Directores de la Tesis: Rafael García Roja (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad de Cádiz ( España ) en 1995
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Javier Piqueras de Noriega (presid.), Fernando Calle Gómez (secret.), Luisa González Sotos (voc.), José María San Juan Núñez (voc.), Nicolás de la Rosa Fox (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Imperfecciones
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología de materiales
      • Propiedades de materiales
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • En la presente memoria de tesis doctoral, se estudia por microscopia electronica de transmision la estructura de defectos en capas epitaxiales de gaas crecidas por atomic layer molecular beam epitaxy (almbe) a 350 grados c. Sobre sustratos de si(001). El efecto del dopado se investiga en capas epitaxiales de gaas dopadas tipo n y tipo p y el de la temperatura en capas epitaxiales de gaas crecidas con tratamientos termicos. Se encuentra que la estructura de defectos caracteristica en capas epitaxiales de gaas consiste en defectos planares (fallos de apilamiento y micromaclas) que presentan una distribucion asimetrica. Esta estructura de defectos se puede explicar desarrollando un modelo que tiene en cuenta la secuencia y las movilidades de las dislocaciones parciales de polaridad alfa y beta en funcion del signo de la tension reticular. Asi, los defectos planares provienen de la disociacion de dislocaciones threading beta y dislocaciones threading alfa para capas epitaxiales de gaas dopadas tipo n y dopadas tipo p, respectivamente. Por el contrario, la disociacion de dislocaciones threading alfa y beta no ocurre para capas epitaxiales de gaas crecidas con tratamientos termicos. Del estudio llevado a cabo se encuentra que la diferencia entre las movilidades de las dislocaciones parciales es un factor que esta relacionado con la aparicion de los defectos planares y llega a ser mas importante cuando la temperatura de crecimiento disminuye.