Separación de fases y relajación plástica en epitaxias semiconductoras de gain(n)as/gaas(001)

• Autores: Miriam Herrera Collado
• Directores de la Tesis: Rafael García Roja (dir. tes.), David González Robledo (codir. tes.)
• Lectura: En la Universidad de Cádiz ( España ) en 2005
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Albert Cornet i Calveras (presid.), Sergio I. Molina (secret.), María Yolanda González Díez (voc.), María Bianchi Méndez Martín (voc.), Mark Hopkinson (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Electrónica
      • Microscopia electrónica
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
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• Resumen

  • El objetivo de la presente Tesis Doctoral es establecer parámetros de diseño para el crecimiento epitaxial mediante Epitaxia de Haces Moleculares de capas de GaIn(N) As/GaAs(001) con la finalidad de optimizar sus propiedades estructurales y , por tanto, mejorar su funcionalidad en dispositivos opto- y micro- electrónicos. Con este objetivo, se ha analizado la influencia de distintos parámetros de crecimiento tales como la temperatura de crecimiento, el espesosr de la epicapa o la composición en In y/o N en la micro.estructura de capas de GaIn(N)As mediante Microscopía Electrónica de Transmisión en modo contraste de difracción. También se ha utilizado técnicas adicionales tales como Difracción de Rayos X de Doble Cristal, Microscopía de Fuerza Atómica y Fotoluminiscencia para la caracterización de las propiedades de este sistema m,aterial. Estos análisis han permitido profundizar en el conocimiento de los procesos de relajación plástica y en la distribución de los distintos aleantes en capas epitaxiales de GaIn(N)AS/GaAs(001)