Crecimiento epitaxial de estructuras semiconductoras sobre sustratos no planos mediante MBE y ALMBE

• Autores: Pablo S. Domínguez Lorenzo
• Directores de la Tesis: Jose Luis de Miguel (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1994
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Juan Piqueras (presid.), José Luis Castaño Palazón (secret.), José Manuel Calleja Pardo (voc.), Enrique Calleja Pardo (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Crecimiento de cristales
      • Semiconductores
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• Resumen

  • SE EXPONEN LAS PECULIARIDADES DEL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE COMPUESTOS III-V SOBRE MESETAS O CANALES, HACIENDO ENFASIS EN LA MIGRACION SUPERFICIAL DEL CATION A RESULTAS DEL GRADIENTE DE POTENCIAL QUIMICO ENTRE FACETAS VECINAS.

    EL DESARROLLO DE UN SENCILLO MODELO MATEMATICO PERMITE DISEÑAR UN PROGRAMA DE SIMULACION DEL CRECIMIENTO, QUE SE EMPLEA COMO HERRAMIENTA DE ANALISIS DE LOS EXPERIMENTOS DE DEPOSITO EPITAXIAL. AJUSTANDO LA SALIDA DEL PROGRAMA A LAS IMAGENES DE MICROSCOPIA ELECTRONICA DE LAS MUESTRAS ES POSIBLE DETERMINAR PARAMETROS RELATIVOS A LA CINETICA DEL CRECIMIENTO (MBE O ALMBE) DE GAAS, ALAS O IMAS. EN PARTICULAR, SE DEMUESTRA QUE LA TECNICA ALMBE INCENTIVA LA MIGRACION SUPERFICIAL DEL CATION Y REDUCE LAS DIFERENCIAS EN REACTIVIDAD QUIMICA ENTRE FACETAS CON DIFERENTES ORIENTACIONES CRISTALGRAFICAS, EN COMPARACION CON LA TECNICA MBE.