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Aplicación de los métodos electroquímicos a la preparación y caracterización de materiales semiconductores en película fina: calcogenuros de cobre-indio

  • Autores: José Herrero Rueda
  • Directores de la Tesis: Jaime González (dir. tes.), José Ortega (dir. tes.)
  • Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1988
  • Idioma: español
  • Tribunal Calificador de la Tesis: Carlos Sánchez Lopez (presid.), María Teresa Gutiérrez García (secret.), Francisco Colom Polo (voc.), Enrique Fatás Lahoz (voc.), Pablo Martinez de Las Marias (voc.)
  • Materias:
  • Texto completo no disponible (Saber más ...)
  • Resumen
    • El desarrollo industrial y tecnologico a gran escala de dispositivos basados en materiales semiconductores en lamina delgada celulas solares fotovoltaicas, pantallas planas, baterias y microbaterias, etc..., esta limitado principalmente por la posibilidad de preparar estos materiales sobre grandes superficies por un metodo eficaz y economico. Una de las posibles tecnicas que cumple estas condiciones es el metodo de sintesis electroquimica, este metodo no solo es esencialmente barato, ademas de no requerir productos de partida de gran pureza, si no que es una tecnologia ya aplicada en gran escala para diferentes usos industriales. El objetivo de esta memoria ha sido estudiar la aplicacion de los metodos electroquimicos a la preparacion y caracterizacion de materiales semiconductores del grupo de los calcogenuros de cobre-indio en lamina fina o pelicula delgada, tratando ademas de encontrar vias alternativas a la clasica de depositos electroquimicos ya sean metales o aleaciones y tras adecuados tratamientos posteriores obtener compuestos semiconductores los cuales no son viables por el metodo directo. El grupo de semiconductores estudiados es el que forma el sistema seudobinario donde los compuestos con x=0,5, son los mas conocidos debido a sus prometedoras propiedades fotovoltaicas. Especial atencion se ha prestado a sintetizar y determinar las propiedades fotoelectroquimicas que presentan el y . Estos dos semiconductores se han preparado por reaccion de depositos electroquimicos de indio y selenio por un lado y de indio en una atmosfera de gas. A partir de aleaciones metalicas de cu-in y por tratamientos en atmosferas de se han sintetizado los compuestos y . El compuesto se ha preparado en su fase calcopirita por un metodo de electrodeposicion en una etapa a un bajo potencial, -0,6 v(sce), a partir de un baño citrico de los componentes. Todos estos materiales se han caracterizado aprovechando las propiedades rectificantes de l


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