Se ha instalado un sistema apto para medidas opticas bajo altos campos magneticos (hasta 13,5 tesla) y se ha probado con medidas raman y luminiscencia. Se ha caracterizado por medio de medidas opticas y de transporte pozos cuanticos anchos dopados de ga as. Estas revelan el caracter heterouion pozo cuantico de los distintos niveles, poniendo de manifiesto las similitudes y diferencias entre los dos sistemas. Las medidas de luminiscencia resuelta en tiempo muestran que en los sistemas aludidos es posible la fuga de electrones a traves de una barrera de alas por el punto x de la zona de brillouin. Se ha desarrollado una serie de modelos teoricos que reproducen la luminiscencia de pozos cuanticos anchos dopados, demostrandose que nos es imprescindible la hipotesis de transferencia de carga para explicar sus peculiaridades. Se ha realizado un estudio de raman resonante bajo campo electrico en pozos cuanticos que muestra la potencia de esta tecnica y se ha iniciado el estudio de raman resonante bajo campo magnetico en sistemas bidimensionales de semiconductores.
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