Propiedades mecánicas de metales, semiconductores y aleaciones mediante cálculos de primeros principios
- Autores: José Humberto Camacho García
- Directores de la Tesis: Juan Francisco Rivas Silva (dir. tes.), Alejandro Bautista Hernández (dir. tes.)
- Lectura: En la Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP) ( México ) en 2015
- Idioma: español
- Enlaces
- Tesis en acceso abierto en: hdl.handle.net
- Resumen
“En este trabajo presentamos un estudio del esfuerzo ideal (a compresión hidrostática) aplicado a diferentes materiales cristalinos (metales, semiconductores y aleaciones), con el objetivo de comprender más a fondo las causas físicas que hacen inestable a un material. Por lo tanto, se estudiaron 7 metales de transición (Pb, Au, Ag, Pd, Pt, Rh, Ir) con estructura cúbica centrada en las caras (fcc por sus siglas en inglés) y también los metales Ti, Zr y Hf en una fase metaestable fcc. En el caso de los materiales semiconductores se estudiaron compuestos GaX (X=N, P, As, Sb, Bi) y MoX (X=V,Nb, Ta) para las aleaciones estudiadas. Para realizar dicho estudio se utilizó la Teoría de Funcionales de la Densidad (DFT). Parámetros de red, módulos de compresibilidad, de corte, y de Young, se obtienen en estado base. Las constantes elásticas se obtienen en función de la presión aplicada. Las condiciones de estabilidad para los sistemas elásticos cúbicos bajo presión hidrostática son. donde Cij representan las constantes elásticas y representa el esfuerzo aplicado. La condición (1) corresponde a la desaparición del módulo de compresibilidad B0. La segunda condición de estabilidad (2) es propia de una inestabilidad de esfuerzo al corte cuando el sistema reduce su simetría hacia la tetragonal o la ortorrómbica.”
