Mecanismos de crecimiento y estructura de las películas delgadas de óxido de silicio obtenidas a baja temperatura
- Autores: Omar Najmi
- Directores de la Tesis: Isabel Montero (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1995
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Fernando Rueda Sánchez (presid.), José Manuel Martínez Duart (secret.), José Luis Morenza Gil (voc.), Francisco Sánchez Quesada (voc.), Mariano Pérez-Martínez y Pérez-Amor (voc.)
- Materias:
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
- Resumen
EL OBJETIVO PRINCIPAL DE ESTE TRABAJO HA SIDO EL ESTUDIO DE LOS MECANISMOS DE FORMACION Y DE LAS PROPIEDADES DE LAS PELICULAS DE OXIDO DE SILICIO MEDIANTE EL PROCESO DE OXIDACION ANODICA A TEMPERATURA AMBIENTE. LAS PELICULAS HAN SIDO CARACTERIZADAS MEDIANTE ESPECTROSCOPIAS IR, RBS Y XPS, ELIPSOMETRIA, SEM Y EDAX.
EN PRIMER LUGAR SE HA ESTUDIADO LA INFLUENCIA DE LOS PARAMETROS DEL PROCESO DE ANODIZACION (VOLTAJE, DENSIDAD DE CORRIENTE, Y NATURALEZA Y CONCENTRACION DEL ELECTROLITO) SOBRE LAS PROPIEDADES FISICO-QUIMICAS DEL OXIDO. SE HAN ESTUDIADO TAMBIEN LOS PROCESOS DE REOXIDACION Y LOS MECANISMOS DE CONDUCCION ELECTRICA E IONICA, ASI COMO EL EFECTO DEL DESORDEN EN LA RED SOBRE LOS MODOS NORMALES DEL ENLACE SILICIO-OXIGENO Y FINALMENTE, SE HAN ESTUDIADO LOS PROCESOS DE RUPTURA DIELECTRICA.
A PARTIR DE LOS RESULTADOS ENCONTRADOS CABE DESTACAR QUE LAS PELICULAS DE OXIDO DE SILICIO OBTENIDAS MEDIANTE ESTE PROCESO UTILIZANDO PEQUEÑAS CANTIDADES DE AGUA EN EL ELECTROLITO POSEEN MUY BUENAS CARACTERISTICAS PARA SER EMPLEADAS EN LA INDUSTRIA MICROELECTRONICA.
