Resumen de Deposición de nitruro de silicio por PECVD: influencia de los gases precursores
SE HA ESTUDIADO EL PROCESO DE DEPOSICION DE PELICULAS DELGADAS DE NITRURO DE SILICIO POR LA TECNICA DE "DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR ASISTIDA POR PLASMA (PECUD)", HACIENDO ESPECIAL ENFASIS EN LA INFLUENCIA DE LOS GASES PRECURSORES UTILIZADOS EN LAS PROPIEDADES DE LAS PELICULAS DEPOSITADAS. SE HAN RELACIONADO LOS PARAMETROS DE LA DEPOSICION (PRESION, POTENCIA, TEMPERATURA ETC) CON LAS CARACTERISTICAS FISICAS Y ESTRUCTURALES DE LAS PELICULAS OBTENIDAS CON MEZCLAS GASEOSAS SIHY/NH3. SE HA ESTABLECIDO EL PAPEL DEL HIDROGENO INCORPORADO, BIEN COMO RADICALES -SIH O BIEN COMO RADICALES -NH, DIFERENCIANDO EL PAPEL DE CADA TIPO DE RADICAL EN LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE LAS PELICULAS.
SE HA ESTUDIADO LA DEPOSICION DE NITRURO DE SILICIO A PARTIR DE MEZCLAS GASEOSAS FLUORADAS, A FIN DE CONSEGUIR PELICULAS DE NITRURO DE SILICIO CON HIDROGENO INCORPORADO EN BAJA PROPORCION Y/O ENLAZADO A LA RED DE NITRURO DE SILICIO DE LA FORMA MAS ESTABLE POSIBLE. EN ESTE SENTIDO SE HAN INVESTIGADO MEZCLAS GASEOSAS DE SIHY/NF3 Y SIF4/NH3.
FINALMENTE SE HA ESTUDIADO LA ESTABILIDAD DE LAS PELICULAS ASI DEPOSITADAS EN ATMOSFERAS HUMEDAS, PROPONIENDO UN MECANISMO DE OXIDACION QUE EXPLICA LA INESTABILIDAD OBSERVADA EN PELICULAS DE NITRURO DE SILICIO OBTENIDAS CON ELEVADAS PROPORCIONES DE ATOMOS DE FLUOR EN LAS MEZCLAS GASEOSAS PRECURSORAS.
