Resumen de Preparación y caracterización de láminas delgadas de CdxHg1-xTe con bajo contenido en mercurio y optimización de su eficiencia cuántica
Se ha depositado el semiconductor ternario cdxhg1-xte con bajo contenido en mercurio, en forma de lamina delgada, sobre substratos de ti e ito mediante la tecnica de electrodeposicion catodica. En este proceso de crecimiento se ha prestado especial atencion a dos variables: A) potencial de deposicion b) concentracion de iones mercurio en el baño electrolitico. El rango de potencial estudiado es (-550 mv, -650 mv) y para la concentracion de iones mercurio de 0.02 a 0.3 veces la concentracion de iones (hteo2+) en el electrolito.
Las muestras han sido caracterizadas utilizando las tecnicas de: Xrd, edx, espectroscopia en el visible y nir, xps, espectroscopia de fotocorrientes y eficiencia cuantica. Los resultados mas interesantes revelan que determinadas estructuras multicapas-multipotenciales formadas mediante variacion adecuada de estas dos variables de crecimiento presentan eficiencias cuanticas de conversion muy utiles en el fenomeno fotovoltaico, muy superiores a estructuras de laminas simples.
