Etapas iniciales de la formación de heterouniones Si/GaAs(100) crecimiento y oxidación
- Autores: Francisco Javier Palomares Simón
- Directores de la Tesis: F. Soria (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1993
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Juan Manuel Rojo Alaminos (presid.), Enrique García Michel (secret.), Arturo M. Baró (voc.), José María Sanz (voc.), José Luis Sacedón Adelantado (voc.)
- Materias:
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- Resumen
EL PROPOSITO DEL PRESENTE TRABAJO HA SIDO EL ESTUDIO DE LAS ETAPAS INICIALES DE LA FORMACION DE HETEROUNIONES SI/GAAS(100), SU CRECIMIENTO Y OXIDACION MEDIANTE LA APLICACION CONJUNTA DE VARIAS TECNICAS DE FISICA DE SUPERFICIES COMO SON LA ESPECTROSCOPIA DE ELECTRONES AUGER (AES), LA DIFRACCION DE ELECTRONES DE BAJA ENERGIA (LEED) Y LA ESPECTROSCOPIA DE FOTOEMISION UTILIZANDO RADIACION SINCROTRON (PES). PARA ELLO PRIMERAMENTE HA TENIDO LUGAR LA CARACTERIZACION DE LAS SUPERFICIES DE GAAS (100) QUE SIRVEN DE SUBSTRATO EN EXPERIMENTOS ADICIONALES, PARA A CONTINUACION ANALIZAR LAS PRIMERAS ETAPAS DE CRECIMIENTO Y LA CONSIGUIENTE FORMACION DE LA INTERCARA SI/GAAS (100) A DIFERENTES TEMPERATURAS, REQUISITOS IMPRESCINDIBLES PARA POSTERIORMENTE PODER ABORDAR EL COMPORTAMIENTO DE AMBOS SISTEMAS TRAS LOS PROCESOS DE OXIDACION ACTIVADOS POR BOMBARDEO ELECTRONICO A QUE SON SOMETIDOS.
