Una descripción localizada autoconsistente de semiconductores tetravalentes y sus interfases
- Autores: José Sánchez-Dehesa Moreno
- Directores de la Tesis: C. Tejedor (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1982
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Elías Muñoz Merino (presid.), Carlos Tejedor de Paz (secret.), Fernando Rueda Sánchez (voc.), Fernando Flores Sintas (voc.), Fernando Agulló López (voc.)
- Materias:
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
- Resumen
En el trabajo se desarrolla principalmente un metodo de calculo que dentro de la teoria de pseudopotenciales y utilizando las funciones wamier como base de funciones localizadas permite abordar todo tipo de propiedades de los semiconductores tetravalentes y sus interfases. Hemos tratado en el capitulo 1 las propiedades estructurales del silicio; tanto las asociadas al estado de equilibrio como las elasticas que se manifiestan a someter el cristal a presiones. En el capitulo 2 hemos desarrollado un modelo de hamiltoniano que ha demostrado ser muy util para describir la interaccion electron-fonon optico en semiconductores. En el capitulo 3 hemos calculado las propiedades electronicas y estructurales de los defectos planos (stacking-farlts) en silicio. Finalmente en el capitulo 4 hemos estudiado y analizado las propiedades de las super-redes (asga)m-(asal)m
