Propiedades electrónicas de estructuras semiconductoras de baja dimensionalidad

• Autores: Juan Antonio Porto Ortega
• Directores de la Tesis: José Sánchez-Dehesa Moreno-Cid (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1996
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Fernando Flores Sintas (presid.), Florentino Borondo Rodríguez (secret.), Francisco J. Meseguer (voc.), Luis Martín Moreno (voc.), Ceferino López Fernández (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Propiedades de transporte de electrones
      • Semiconductores
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• Resumen

  • En esta tesis se estudian teoricamente las propiedades de algunos tipos de estructuras semiconductoras de baja dimensionalidad. En la primera parte se estudian los tiempos de tunneling en estructuras de doble barrera. Para este fin se hace uso del metodo de estabilizacion. Asimismo, se estudia el efecto del perfil de dopaje en los tiempos de tunneling asi como fenomenos de acumulacion de carga. En la segunda parte se estudian las propiedades electronicas de pozos cuanticos crecidos sobre superficies vecinales. Concretamente, se estudian de forma exhaustiva las diversas causas que pueden estar en el origen del corrimiento a altas energias de las transiciones electronicas en los pozos cuanticos vicinales. En la tercera parte se estudian las propiedades estructurales de agregados de semiconductores sintetizados en las cavidades de la zeolita y. Para dicho estudio se hace uso de un metodo de "tight-binding" no ortogonal y dinamica molecular, con el fin de obtener las estructuras de equilibrio de los agregados de semiconductores.