Optical properties of nitride semiconductor structures
- Autores: Sneézana Laziâc
- Directores de la Tesis: José Manuel Calleja Pardo (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 2008
- Idioma: inglés
- Tribunal Calificador de la Tesis: Luis Viña (presid.), Fernando Agulló de Rueda (secret.), Enrique Calleja Pardo (voc.), Achim Trampert (voc.), Andrés Cantarero (voc.)
- Materias:
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
- Resumen
Mediante espectroscopía Raman resonante se ha observado modos locales de vibración en capas gruesas de AIGaAsN con distintas concentraciones de nitrógeno. Estos modos están asociados a la formación preferente de enlaces AI-N por encima de su abundancia estadística. Además, se han realizado medidas de espectroscopía Raman resonante en multipozos cuánticos de InGaN, tanto relajados como pseudomórficos. La concentración media de in y su rango fluctuación en pozos relajados han sido determinados independientemente a partir de la energía del máximo del perfil de resonancia Raman del fonón A1(LO), obteniéndose buen acuerdo con los datos de variación de la frecuencia del fonón con la energía de excitación. En continuación, mediante espectroscopía micro-Raman se han caracterizado nanocolumnas de InN y GaN de diferentes tamaños. La comparación de espectros Raman de muestras de InN nanocolumnares y compactas han permitido detectar la presencia de una capa de acumulación de electrones en las superficies laterales (no polares) de las nanocolumnas. Esta capa de acumulación, que hasta ahora se ha observado solamente en las superficies polares del InN, se atribuye a la formación de una capa superficial rica en In en las superficies laterales de las nanocolumnas.
