Crecimiento y caracterización de monocristales semiconductores de banda ancha CdTe Y HgI2

• Autores: María Dolores Serrano Hernández
• Directores de la Tesis: Ernesto Diéguez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1994
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Jaque Rechea (presid.), José Manuel Cabrera Castillo (secret.), Javier Piqueras Moriega (voc.), Pedro Olmos Moreno (voc.), Emilio Morán (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Crecimiento de cristales
      • Semiconductores
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • EN LA MEMORIA SE HAN PRESENTADO LOS RESULTADOS EN EL DISEÑO Y PREPARACION DE EQUIPOS DE CRECIMIENTO, ASI COMO EN EL CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES DE LOS MATERIALES CDTE Y HSI2. ESTOS MATERIALES PRESENTAN EL INTERES DE PODER SER UTILIZADOS COMO DETECTORES DE RADIACION X Y GAMMA.

    LOS CRISTALES OBTENIDOS SUFREN UN PROCESADO POSTERIOR AL CRECIMIENTO Y SON CARACTERIZADOS POR DISTINTAS TECNICAS PARA ESTUDIAR LA CALIDAD Y LAS CARACTERISTICAS MAS RELEVANTES.