Resumen de Study and modification of physical properties of few-layered MoS2 by Atomic Force Microscopy.
Los materiales bidimensionales resultan muy prometedores debido a la gran variedad de propiedades electrónicas que ofrecen y a las excelentes cualidades mecánicas que muchos de ellos presentan. El MoS2 es un material especialmente interesante ya que tiene un gap semiconductor de cerca de 1.7 eV muy conveniente para la fabricación de dispositivos electrónicos. Sin embargo, la creación involuntaria de defectos resulta inevitable con los métodos de producción a gran escala existentes a día de hoy. Las mejores técnicas actuales de crecimiento dan lugar a densidades de defectos de hasta 0.4x1012 cm-2. Por ello es necesario estudiar cómo distintas cantidades de estos defectos afectan a las propiedades de este material.
En la primera parte de esta tesis se realiza un estudio sobre las propiedades mecánicas del MoS2 mediante indentaciones con puntas de AFM. Para este trabajo, monocapas de MoS2 de muy alta calidad crecidas por CVD han sido irradiadas con distintas cantidades de iones de Ga+ y Ar+ para monitorizar cómo cantidades controladas de defectos de tamaño atómico afectan a las propiedades mecánicas de monocapas de MoS2.
En la segunda parte la tesis se estudia cómo es posible modificar localmente el gap semiconductor del MoS2 mediante la aplicación de muy altas presiones con una punta de AFM. Utilizaremos esta técnica para realizar contactos eléctricos transparentes en dispositivos creados con MoS2 de pocas capas. La aplicación de muy altas presiones locales también puede ser utilizada para mejorar la adhesión de grafeno a los sustratos, lo que permite la creación de microcontenedores muy impermeables.
