Estudio por XPS de la oxidación de AsGa (111)
- Autores: Ignacio López de Ceballos Lafarga
- Directores de la Tesis: José Luis Sacedón Adelantado (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1987
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Fernando Flores Murrieta (presid.), Luis Vicent Jose (secret.), Fernando Briones Fernández-Pola (voc.), Federico Soria Gallego (voc.), José María Albella (voc.)
- Materias:
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- Resumen
Ha sido posible descomponer o(15) a 4 estados distintos de absorcion y oxidacion. La identificacion absoluta del oxigeno doble enlace permite llevar a cabo un calculo de sensibilidades de modo que se puedan pasar a relacionar directamente las distintas cantidades de los elementos en la superficie. Se ha obtenido el crecimiento de un oxido este quiometrico con 1.5 atomos de oxigeno por cada ga o as oxidado. Del mismo modo se observan dos etapas de absorcion que preceden a las de oxidacion hasta completarse el crecimiento de la primera bilayer de oxido. Hemos obtenido una serie de umbrales de desorcion coincidiendo con unos niveles internos, de modo que hemos podido averiguar el lugar de absorcion de cierto tipo de atomos de oxigeno: o= y ox.
