Crecimiento selectivo de InAs sobre substratos grabados de GaAs(001) mediante litografía de oxidación local por AFM

• Autores: Javier Martín Sánchez
• Directores de la Tesis: María Yolanda González Díez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 2009
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Basilio Javier García Carretero (presid.), Julio Gómez Herrero (secret.), P. A. Postigo (voc.), Juan Pascual Martínez Pastor (voc.), Dolores Golmayo (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Química física
      • Física de la fase gaseosa
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: Biblos-e Archivo
• Resumen

  • En este trabajo de tesis se presenta el desarrollo de un proceso tecnológico para la obtención de puntos cuánticos (QDs) de InAs con alta eficiencia de emisión óptica y control del lugar de formación sobre substratos de GaAs(001). Para ello se ha fabricado mediante epitaxia por haces moleculares MBE (del inglés, Molecular Beam Epitaxy) QDs de InAs sobre substratos de GaAs(001) previamente grabados mediante la técnica de oxidación local con un microscopio de fuerzas atómicas AFM (del inglés, Atomic Force Microscopy). A modo de introducción, en este capítulo se presentará brevemente una descripción cualitativa de las nanoestructuras semiconductoras, y en concreto, de los puntos cuánticos, así como su interés práctico. A continuación se presentará la motivación de este trabajo de tesis, seguido de la presentación de los distintos temas abordados a lo largo de esta memoria.