Analisis de la conductancia estimulada termicamente en una estructura mos: medida de la densidad de estados de interface generados por rie"
- Autores: Agustin de Dios Hernández
- Directores de la Tesis: Luis A. Bailón Vega (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad de Valladolid ( España ) en 1991
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Juan J. Barbolla Sancho (presid.), Juan Antonio López Villanueva (secret.), Emilio Lora-Tamayo D'Ocón (voc.), Germán González Díaz (voc.), Daniel Pardo Collantes (voc.)
- Materias:
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- Resumen
El analisis de la conductancia estimulada termicamente en una estructura mos constituye un metodo para medir la densidad de estados de interface presente en la misma. Se basa en la medida de la conductancia, de una estructura mos polarizada en vaciamiento, en funcion de la temperatura. Las curvas asi obtenidas presentan un maximo a partir de cuyo estudio es posible extraer la densidad de estados de interface presente en dicha estructura. Es un metodo sencillo de implementar y que presenta una elevada sensibilidad. Dicho metodo se ha aplicado al estudio del dañado generado por accion de rie sobre estructuras mos sometidas a dicho proceso tecnologico. Se ha comprobado la existencia de dañado, consistente en el incremento de la densidad de estados de interface para el caso de un ataque de eliminacion de aluminio.
