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Caracterizacion de centros profundos en semiconductores por la tecnica cc-dlos
Autores:
Jesus Vilanova Somoza
Lectura:
En la
Universidad de Valladolid
( España ) en 1989
Idioma:
español
Tribunal Calificador de la Tesis:
Pedro Cartujo Estebanez
(
presid.
),
Emilio Lora-Tamayo D'Ocón
(
secret.
),
Luis A. Bailón Vega
(
voc.
),
Martín Jaráiz
(
voc.
)
Materias:
Ciencias tecnológicas
Tecnología electrónica
Dispositivos semiconductores
Texto completo no disponible
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