Microespectroscopía de materiales optoelectrónicos silicio poroso y microcavidades de GaAs/AlGaAs

• Autores: Sonsoles Manotas Cabeza
• Directores de la Tesis: José Manuel Calleja Pardo (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 2002
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: José Manuel Martínez Duart (presid.), Luis Víña Liste (secret.), Carlos Sánchez López (voc.), Carlos Andrés Prieto de Castro (voc.), Narcís Mestres Andreu (voc.)
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• Resumen

  • En este trabajo se estudian por microespectroscopía Raman y microfotoluminiscencia dos materiales semiconductores nanoestructurados con interés en optoelectrónica: el silicio poroso y las microcavidades de GaAs/AlGaAs.

    En el silicio poroso, se estudia el aumento de temperatura que produce el calentamiento inducido por el láser, la estabilidad de la fotoluminiscencia en función de la temperatura, la tensión mecánica en la región cercana a la intercara con el sustrato de silicio, y las propiedades de multicapas.

    En las microcavidades, los estudios en una sección transversal permiten caracterizar cada capa. Por último, medidas en la dirección de crecimiento estudian los efectos de acoplamiento presentes en el interior de la cavidad, comparando el desdoblamiento Rabi obtenido para una cavidad formada por pozos cuánticos aislados y una superred, respectivamente.