En esta tesis se estudia las estructura electrónica y la superficie de Fermi medida mediante fotoemisión resuelta en ángulo (ARUPS) de películas de Ag crecidas sobre Si(111) para un amplio rango de recubrimiento de Ag.
La ausencia de interdifusión y la débil interacción entre los dos elementos Ag y Si, hace de la interfase Ag-Si un modelo ideal metal-semiconductor.
Ello unido al interés tecnológico de los sistemas metal-semiconductor en su papel como contactos eléctricos en los dispositivos electrónicos, viene originando, desde hace unas tres décadas, un gran interés por este sistema, interés que actualmente ha derivado hacia el estudio de la conductividad a través de estados bidimensionales y el estudio de nuevas reconstrucciones obtenidas a baja temperatura.
La técnica de fotoemisión resuelta en ángulo es una de las herramientas mas potentes que existen actualmente para la determinación de la estructura de bandas de materiales cristalinos. La medida de la superficie de Fermi es una variante relativamente reciente de esta técnica que permite obtener imágenes directas de cortes bidimensionales de la superficie de Fermi.
El procedimiento consiste básicamente en medir los electrones procedentes de una pequeña ventana de energía alrededor del nivel de Fermi, en función del vector de onda. La utilización de radiación sincrotrón, sintonizable en energía y polarizada, como fuente de luz, permite además recrear la superficie de Fermi tridimensional a partir de la medida de secciones bidimensionales y estudiar la paridad de los estados iniciales con respecto a los planos especulares del cristal.
Los estados cercanos al nivel de Fermi son particularmente interesantes porque determinan la mayor parte de las propiedades electrónicas: conductividad, magnetismo, ondas de densidad de carga, superconductividad.
El objetivo general de esta tesis es contribuir al mejor conocimiento de la evolución de la estructura
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