Resumen de Contribucion al estudio de las propiedades de transporte en el asga: gr
Semiconductores en regimen de tiempo de vida media y de relajacion. Compensacion en el asga: conductividad activada termicamente; caracteristicas corriente-tension (i-v). Estudio de las trampas y de sus mecanismos de captura por el metodo de las corrientes estimuladas termicamente (tsc): estudio de la influencia de los contactos en los espectros de tsc mediante una nueva tecnica (ccvd-tsc). Caracterizacion de las trampas del asga:cr y calculo de sus parametros. Discusion en base al problema de los semiconductores en regimen de relajacion.
