Propiedades de transporte en silicio policristalino y uniones P-N: Aplicación a supresores de sobretensiones

• Autores: Antonio Criado Fornelio
• Directores de la Tesis: Juan Piqueras Haba (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1979
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Maximino Rodríguez Vidal (presid.), Fernando Agulló López (secret.), Antonio Luque López (voc.), Elías Muñoz Merino (voc.), Nicolás Cabrera Sánchez (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Electrónica
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: Biblos-e Archivo
• Resumen

  • En el presente trabajo, se ha desarrollado un dispositivo utilizable como supresor de sobretensiones; es decir, como protector de los circuitos electrónicos frente a las variaciones transitorias de tensión. Se ha estudiado la estructura del material básico de partida, así como diferentes parámetros de transporte. Se fabricaron uniones p-n, en las que se realizaron medidas sistemáticas de sus características i-v, niveles profundos, etc. Finalmente, se realizaron medidas de multiplicación local en la unión, mapas de emisividad térmica de infrarrojo y pruebas de supresión de pulsos transitorios