Propiedades de transporte en silicio policristalino y uniones P-N aplicación a supresores de sobretensiones

• Autores: Antonio Criado Fornelio
• Directores de la Tesis: Juan Piqueras Haba (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1979
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Maximino Rodríguez Vidal (presid.), Fernando Agulló López (secret.), Antonio Luque López (voc.), Elías Muñoz Merino (voc.), Nicolás Cabrera Sánchez (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Electrónica
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • En el presente trabajo, se ha desarrollado un dispositivo utilizable como supresor de sobretensiones; Es decir, como protector de los circuitos electronicos frente a las variaciones transitorias de tension. Se ha estudiado la estructura del material basico de partida, asi como diferentes parametros de transporte. Se fabricaron uniones p-n, en las que se realizaron medidas sistematicas de sus caracteristicas i-v, niveles profundos, etc. Finalmente, se realizaron medidas de multiplicacion local en la union, mapas de emisividad termica de infrarrojo y pruebas de supresion de pulsos transitorios.