Estudio teórico de la quimisorción de átomos y moléculas sobre GaAs

• Autores: Rafael Rincón Carlavilla
• Directores de la Tesis: Fernando Flores Sintas (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1995
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: José Luis Sacedón Adelantado (presid.), Fernando Sols Lucia (secret.), Juan Rubio Bernal (voc.), Alfonso Muñoz González (voc.), Álvaro Martín Rodero (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Interfases
      • Semiconductores
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• Resumen

  • MEDIANTE UNA APROXIMACION LCAO (COMBINACION LINEAL DE ORBITALES ATOMICOS) SE ANALIZAN DISTINTAS ESPECIES DE ADSORBATOS (A1, IN, H, C1, O, H2O, OH...) SOBRE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR GAAS, ARSENURO DE GALIO. LOS TERMINOS DE MUCHOS CUERPOS DEL HAMILTONIANO SE APROXIMAN LOCALMENTE EN UN ESQUEMA DE NUMEROS DE OCUPACION. LAS TRANSICIONES METAL-AISLANTE SE PUEDEN ESTUDIAR FACILMENTE EN ESTE METODO, ASI, LA DEPOSICION DE POTASIO SOBRE LA SUPERFICIE GAAS (100) ES ANALIZADA, OBTENIENDOSE UNA TRANSICION METALICA PARA UNA DEPOSICION DE 6-7 POTASIOS SOBRE LA CELDA UNIDAD.