Resumen de Caracterización de contactos de siliciuros de titanio y tantalio sobre arseniuro de galio

Marta Clement Lorenzo

• EL TRABAJO HA CONSISTIDO EN LA CARACTERIZACION MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE ELECTRONES AUGER (AES) Y ESPECTROMETRIA DE RETRODISPERSION DE IONES (RBS) DE PELICULAS DE SIXTI Y SIXTA DEPOSITADAS POR "SPUTTERING" SOBRE SUSTRATOS DE ASGA CON EL FIN DE ESTUDIAR LA POSIBILIDAD DE SER USADOS COMO CONTACTOS DE PUERTA DE TRANSISTORES MESFET. SE HA HECHO HINCAPIE EN LOS SIGUIENTES PUNTOS:

  - CUANTIFICACION DE LOS PERFILES DE CONCENTRACION OBTENIDOS POR AES SIMULTANEO CON BOMBARDEO CON IONES DE AR+.

  DETERMINACION DE EFICIENCIAS DE EXTRACCION DE LOS SILICIUROS, Y EFECTOS DEL BOMBARDEO (CAMBIOS DE COMPOSICION, ENSANCHAMIENTO DE LA INTERCARA SILICIURO/ASGA).

  - ESTUDIO DE LAS PRIMERAS ETAPAS DE LA OXIDACION DE SIXTI Y SIXTA A TEMPERATURA AMBIENTE Y BAJA PRESION (0-10000 L). EFECTO DE LA COMPOSICION SUPERFICIAL DEL SILICIURO EN LA CINETICA DE OXIDACION.

  - EFECTO DE LOS TRATAMIENTOS TERMICOS HASTA 850 GRADOS C EN ATMOSFERAS INERTES Y OXIDANTES EN LOS CONTACTOS SIXTI/ASGA Y SIXTA/ASGA.

  EFECTO DE LA COMPOSICION Y MORFOLOGIA DEL SILICIURO EN LA ESTABILIDAD TERMICA DEL CONTACTO.

  - CARACTERIZACION I-V DE LOS CONTACTOS SCHOTTKY SIXTI/ASGA SIXTA/ASGA.