Privación de superficies semiconductoras y su influencia en las interfases metal-semiconductor
- Autores: Marta G. Martín Fernández
- Directores de la Tesis: María Carmen Asensio Ariño (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 2001
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: José María Sanz (secret.), Federico Soria Gallego (voc.), Alfredo Segura García del Río (voc.), Luis A. Herrero (voc.)
- Materias:
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- Resumen
El objetivo fundamental de la tesis es contribuir al mejor entendimiento de fenómenos básicos tales como la pasivación de las superficies de semiconductores, y su influencia en el crecimiento de interfases metal/semiconductor.
La estrategia experimental adoptada ha constado de dos etapas diferenciales:
A,- En la primera, nos hemos concentrado en la preparación y caracterización de superficies o semiconductores, en concreto de silicio, pasivadas. La saturación de los enlaces libres presentes en las últimas capas del Si(111), mediante la deposición H o Sb, impide la formación de complicadas reconstrucciones,produciendo una terminación ideal del volumen. La capacidad de preparar superficies de semiconductores no reconstruídas es fundamental para determinar la contribución de dichas reconstrucciones y del orden local en ciertas propiedades, así como para el estudio de la estructura electrónica del volumen a través de su superifice. Además, puede facilitar la interpretación de los procesos de reacción que la tecnología del silicio involucra.
B,- En la segunda, hemos utilizado la pasivación de superficies de semiconductores como punto de partida en el crecimiento de interfases metal/semiconductor, y hemos estudiado cómo y porqué las superficies pasivas modifican su formación.
En particular, hemos estudiado como la presencia de H saturando los enlaces libres presentes en la superficie Si(111)-1x1 influye, desde un punto de vista estructural, en el posterior crecimiento de los siliciros de hierro.
Asimismo, hemos crecido epitaxialmente y caracterizado la fase metaestable bcc del Co sobre la superficie GaAs (110) pasivada con Sb, y analizado en detalle la influencia del Sb en la calidad de la película de Co crecida.
