Magnetotransporte en el gas de electrones bidimensional heteroestructuras semiconductoras de InGaAs y GaN
- Autores: Alejandro F. Braña Cal
- Directores de la Tesis: Francisco Batallan Casas (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 2001
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: José Manuel Calleja Pardo (presid.), Juan José Sáenz Gutiérrez (secret.), Juan Manuel Rojo Alaminos (voc.), Ana Ruiz y Ruiz de Gopegui (voc.), Elías Muñoz Merino (voc.)
- Materias:
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- Resumen
El estudio de las propiedades de magnetotransporte son una herramienta muy poderosa para caracterizar los parámetros del gas de electrones bidimensionial (GE2D) y los mecanismos de dispersion presentes en las heteroestructuras en las que los GE2D se encuentran inmersas. Haciendo uso de las medidas experimentales de la magnetorresistencia transversal hemos obtenido estos parametros para tres tipo de heteroestructuras, dos de InGaAs y una de GaN, que presentan caracteristicas peculiares y distintas de la heteroestructura de GaAs que ha sido ampliamente estudiada en la literatura.
Se presentan en esta Tesis los resultados para la masa efectiva, el tiempo de vida cuántico y el tiempo de vida de Drude, así como los efectos de la intensidad de la corriente para tres heteroestructuras semiconductoras III-V. La primera (que llamaremos S1) es un pozo cuantico de A1GaAs/InGaAs/GaAs.
A partir de los resultados experimentales de la magnetorresistencia transversal se observa que la masa efectiva presenta un comportamiento oscilatorio y del cociente entre los dos tiempos de vida anteriormente citados se puede inferir que el mecanismo de dispersión presente en nuestra heteroestructura es la dispersión por impurezas ionizadas. Además, de los resultados en función de la intensidad de corriente se deduce el acoplamiento de los estados de borde y de volumen que se produce en el efecto Hall cuántico (EHC).
La segunda de las muestras estudiadas (que llamaremos S3) es un pozo cuántico de AlGaAs/InGaAs que presenta dos subbandas ocupadas, lo que nos permite hacer un estudio detallado de los mecanismos de dispersion presentes en la estructura por medio del cociente entre el tiempo de vida cuantico y el tiempo de vida de Drunde para cada una de las dos subbandas.
La tercera de las muestras (que llamaremos J1) es una heteroestructura de AlGaN/GaN. Estas estructuras presentan la mayor densidad de electrones conocida para un GE2D. A partir del estudio
